AO4459, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -5,3А, 2Вт, SO8
![Фото 1/2 AO4459, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -30В, -5,3А, 2Вт, SO8](https://static.chipdip.ru/lib/748/DOC043748619.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/545/DOC034545339.jpg)
80 ֏
от 10 шт. —
67 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 80 ֏
Номенклатурный номер: 8007032835
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Описание Транзистор полевой AO4459 от ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, созданный для реализации в разнообразных электронных применениях. Этот элемент обеспечивает ток стока 5,3 А и напряжение сток-исток 30 В, что делает его подходящим для управления мощными нагрузками. Мощность устройства составляет 2 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,046 Ом, обеспечивает эффективный и экономичный контроль тока. Монтаж этого транзистора упрощен благодаря использованию SMD-технологии, а корпус SO8 облегчает интеграцию в многие печатные платы. Использование AO4459 в вашей разработке гарантирует надежность и долговечность конечного изделия. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 5.3 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 2 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.046 |
Корпус | SO8 |
Технические параметры
Case | SO8 |
Drain current | -5.3A |
Drain-source voltage | -30V |
Gate charge | 4.6nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 46mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 2W |
Type of transistor | P-MOSFET |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 6.5(A) |
Drain-Source On-Res | 0.046(ohm) |
Drain-Source On-Volt | 30(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 8 |
Polarity | P |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Документация
pdf, 599 КБ