DDTC113ZUA-7-F, Digital Transistors 200MW 1K 10K

DDTC113ZUA-7-F, Digital Transistors 200MW 1K 10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
320 ֏
от 10 шт.223 ֏
от 100 шт.89 ֏
от 1000 шт.58 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 ֏
Номенклатурный номер: 8007051146
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K 10K

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 33
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC113
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 1 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.1
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Base Product Number DDTC113 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 33 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.005

Техническая документация

Datasheet
pdf, 418 КБ
Datasheet
pdf, 437 КБ