IXFA220N06T3, MOSFETs 60V/220A TrenchT3

Фото 1/2 IXFA220N06T3, MOSFETs 60V/220A TrenchT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 100 ֏
от 10 шт.5 200 ֏
от 50 шт.4 030 ֏
от 100 шт.3 450 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 100 ֏
Номенклатурный номер: 8007056707
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор полевой IXFA220N06T3 от IXYS – это высокопроизводительный компонент, предназначенный для монтажа SMD в корпусе TO263AA. Оснащенный возможностью управления большим током стока до 220 А и напряжением сток-исток до 60 В, этот N-MOSFET транзистор идеально подходит для силовой электроники. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,004 Ом, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери мощности во время работы. Устройство IXFA220N06T3 станет надежным решением для современных электронных схем. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 220
Напряжение сток-исток, В 60
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.004
Корпус TO263AA

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 220 A
Pd - рассеивание мощности 440 W
Qg - заряд затвора 136 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 20 ns
Время спада 17 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 87 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IXF
Технология SiC
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 46 ns
Типичное время задержки при включении 24 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 2.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 247 КБ