2DA1201Y-7, Bipolar Transistors - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR

Фото 1/2 2DA1201Y-7, Bipolar Transistors - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт.530 ֏
от 100 шт.348 ֏
от 500 шт.260 ֏
1 шт. на сумму 620 ֏
Номенклатурный номер: 8007065804
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 120
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 800 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 800 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 160 MHz
Производитель Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2DA12
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-89-3
Case SOT89
Collector current 0.8A
Collector-emitter voltage 120V
Current gain 120…240
Frequency 160MHz
Kind of package reel, tape
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Mounting SMD
Polarisation bipolar
Power dissipation 1.5W
Type of transistor PNP
Вес, г 0.052

Техническая документация

Datasheet 2DA1201Y-7
pdf, 384 КБ