2DA1201Y-7, Bipolar Transistors - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR
![Фото 1/2 2DA1201Y-7, Bipolar Transistors - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/571/DOC041571051.jpg)
620 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
348 ֏
от 500 шт. —
260 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 120V PNP Trans 100mA -0.8V PWR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
Производитель | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2DA12 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Case | SOT89 |
Collector current | 0.8A |
Collector-emitter voltage | 120V |
Current gain | 120…240 |
Frequency | 160MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 1.5W |
Type of transistor | PNP |
Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet 2DA1201Y-7
pdf, 384 КБ