SI3476DV-T1-GE3, MOSFETs 80V Vds 20V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
374 ֏
от 500 шт. —
280 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 ֏
Описание
Unclassified
TrenchFET® Power MOSFET Material categorization: APPLICATIONS Load Switch for Portable Applications LED Backlight Switch
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 126 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.6 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.9 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
| Вес, г | 0.02 |
