IGW30N65L5XKSA1, IGBTs 650V IGBT Trenchstop 5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 890 ֏
от 10 шт. —
4 180 ֏
от 25 шт. —
3 140 ֏
от 100 шт. —
2 600 ֏
1 шт.
на сумму 4 890 ֏
Описание
Unclassified
The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 85 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V |
| Maximum Power Dissipation | 227 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.055 |
Техническая документация
Datasheet IGW30N65L5XKSA1
pdf, 1617 КБ
