BSC052N08NS5ATMA1
![Фото 1/2 BSC052N08NS5ATMA1](https://static.chipdip.ru/lib/518/DOC044518670.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/552/DOC004552340.jpg)
2 540 ֏
от 2 шт. —
2 050 ֏
от 5 шт. —
1 720 ֏
от 10 шт. —
1 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 540 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSC052N08NS5ATMA1 от INFINEON отличается мощностью в 83 Вт, током стока 95 А и напряжением сток-исток 80 В. С минимальным сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0052 Ом и корпусом PG-TDSON-8, этот N-MOSFET предназначен для SMD монтажа, что делает его идеальным выбором для эффективного управления мощностью в различных областях применения. Продукт BSC052N08NS5ATMA1 сочетает в себе высокую производительность и надежность, что делает его предпочтительным компонентом для разработчиков. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 95 |
Напряжение сток-исток, В | 80 |
Мощность, Вт | 83 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0052 |
Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 5000 |
Fall Time | 5 ns |
Forward Transconductance - Min | 38 S |
Height | 1.27 mm |
Id - Continuous Drain Current | 95 A |
Length | 5.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TDSON-8 |
Packaging | Cut Tape |
Part # Aliases | BSC052N08NS5 SP001232632 |
Pd - Power Dissipation | 83 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 32 nC |
Qualification | AEC-Q100 |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.6 mOhms |
Rise Time | 7 ns |
RoHS | Details |
Series | OptiMOS 5 |
Technology | Si |
Tradename | OptiMOS |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns |
Unit Weight | 0.01787 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
Width | 5.15 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 95 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.0052 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SuperSO8 5x6 |
Pin Count | 8 |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 0.1683 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1315 КБ
Документация
pdf, 1214 КБ