HFA3096BZ, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL
![HFA3096BZ, RF Bipolar Transistors W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN 2XPNP16NSOIC MIL](https://static.chipdip.ru/lib/346/DOC025346581.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1951 шт., срок 7-9 недель
11 300 ֏
от 10 шт. —
9 900 ֏
от 25 шт. —
9 200 ֏
от 100 шт. —
8 500 ֏
1 шт.
на сумму 11 300 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF Bipolar Transistors
The Renesas Electronics HFA3096 is an ultra high frequency transistor array that is fabricated from the Renesas complementary bipolar UHF-1 process.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 8 V |
Maximum DC Collector Current | 65 mA |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 5 |
Package Type | SOIC |
Pin Count | 16 |
Transistor Type | NPN+PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 784 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг