IGD06N60TATMA1, IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
980 ֏
от 10 шт. —
720 ֏
от 100 шт. —
640 ֏
от 500 шт. —
550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
88W 12A 600V FS(Field Stop) TO-252 IGBTs ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 12A |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | - |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - |
| Operating Temperature | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 88W |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | 0.2mJ |
| Type | FS(Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
