DXT751Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
317 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 145 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DXT751Q-13
pdf, 457 КБ