IXTA06N120P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 070 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 7 шт. — 980 ֏

от 13 шт. — 920 ֏

от 25 шт. — 890 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 140 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007189438

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 0.6A

Корпус	TO-263(IXTA)
Brand	IXYS
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	50
Fall Time	27 ns
Height	4.5 mm
Id - Continuous Drain Current	600 mA
Length	9.9 mm
Manufacturer	IXYS
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-263-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	42 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	30 Ohms
Rise Time	24 ns
RoHS	Details
Series	IXTA06N120
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	50 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Unit Weight	0.08113 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Width	9.2 mm
Вес, г	2.1