FZT493TA, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
141 ֏
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 26 шт. —
132 ֏
от 52 шт. —
115 ֏
от 104 шт. —
106 ֏
15 шт.
на сумму 2 115 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А
Технические параметры
| Корпус | SOT-223 | |
| EU RoHS | Compliant with Exemption | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| Part Status | Active | |
| HTS | 8541.29.00.95 | |
| Type | NPN | |
| Product Category | Bipolar Power | |
| Material | Si | |
| Configuration | Single Dual Collector | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 120 | |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 | |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 | |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.15@100mA@1A | |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A | |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 | |
| Minimum DC Current Gain | 30@1A@10V|80@500mA@10V|100@1mA@10V|100@250mA@10V | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 | |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Automotive | Yes | |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 | |
| Supplier Package | SOT-223 | |
| Pin Count | 4 | |
| Standard Package Name | SOT-223 | |
| Military | No | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Package Height | 1.65(Max) | |
| Package Length | 6.7(Max) | |
| Package Width | 3.7(Max) | |
| PCB changed | 3 | |
| Tab | Tab | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1.65 mm (Max) | |
| Длина | 6.7 mm (Max) | |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V | |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A | |
| Подкатегория | Transistors | |
| Полярность транзистора | NPN | |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz | |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | |
| Серия | FZT493 | |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
| Торговая марка | Diodes Incorporated | |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 | |
| Ширина | 3.7 mm (Max) | |
| Base Product Number | FZT493 -> | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A | |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 250mA, 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| Frequency - Transition | 150MHz | |
| HTSUS | 8541.29.0075 | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) | |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA | |
| Power - Max | 2W | |
| REACH Status | REACH Affected | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | SOT-223 | |
| Transistor Type | NPN | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 100V | |
| Maximum DC Collector Current | 1A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Вес, г | 0.22 |
