IRF9630SPBF, MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 030 ֏
от 10 шт. —
2 140 ֏
от 100 шт. —
1 750 ֏
от 250 шт. —
1 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -200В, -4А, 74Вт, D2PAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | D2PAK, TO263 |
| Drain current | -4A |
| Drain-source voltage | -200V |
| Gate charge | 29nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.8Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 74W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 2.32 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 187 КБ
