IXTQ460P2, MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
![Фото 1/3 IXTQ460P2, MOSFETs PolarP2 Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/828/DOC043828070.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/669/DOC001669566.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/129/DOC037129600.jpg)
7 900 ֏
от 10 шт. —
7 200 ֏
от 30 шт. —
6 000 ֏
от 120 шт. —
4 820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор полевой IXTQ460P2 производства IXYS – высокомощный компонент для монтажа THT. С током стока 24 А и напряжением сток-исток 500 В, этот N-MOSFET идеален для применения в силовой электронике. Мощность устройства достигает 480 Вт, что обеспечивает отличную производительность в широком диапазоне рабочих условий. Корпус TO3P обеспечивает надежную работу и легкость установки. IXTQ460P2 станет надежным решением для ваших электронных проектов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 24 |
Напряжение сток-исток, В | 500 |
Мощность, Вт | 480 |
Корпус | TO3P |
Технические параметры
Case | TO3P |
Drain current | 24A |
Drain-source voltage | 500V |
Gate charge | 48nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.27Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 480W |
Reverse recovery time | 400ns |
Technology | Polar2™ |
Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 154 КБ