DSEI2X31-12B, Rectifiers 60 Amps 1200V
![Фото 1/6 DSEI2X31-12B, Rectifiers 60 Amps 1200V](https://static.chipdip.ru/lib/853/DOC031853433.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/822/DOC032822959.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/978/DOC035978964.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/853/DOC031853436.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/822/DOC032822963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/822/DOC032822967.jpg)
19 900 ֏
от 10 шт. —
17 300 ֏
1 шт.
на сумму 19 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Rectifiers
Технические параметры
Diode Configuration | Isolated |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Rectifier |
Maximum Continuous Forward Current | 28A |
Maximum Forward Voltage Drop | 2.55V |
Mounting Type | Panel Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-227B |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 210A |
Peak Reverse Recovery Time | 60ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 1200V |
Pin Count | 4 |
Rectifier Type | Switching |
Case | SOT227B |
Electrical mounting | screw |
Load current | 28A x2 |
Manufacturer | IXYS |
Max. forward impulse current | 210A |
Max. forward voltage | 2.55V |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Mechanical mounting | screw |
Semiconductor structure | double independent |
Type of module | diode |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DSEI2X31-12B
pdf, 168 КБ