IPA083N10N5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 010 ֏
от 2 шт. —
3 480 ֏
от 5 шт. —
3 130 ֏
от 10 шт. —
2 940 ֏
1 шт.
на сумму 4 010 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPA083N10N5XKSA1 от INFINEON – это высококачественный компонент для монтажа THT, предназначенный для работы в схемах с высокими нагрузками. С током стока 44 А и напряжением сток-исток 100 В, этот транзистор гарантирует эффективную работу при мощности в 36 Вт. Особенностями данной модели являются низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0083 Ом и корпус TO220FP, что обеспечивает его надежность и долговечность. Тип N-MOSFET подходит для широкого спектра электронных применений. Воспользуйтесь IPA083N10N5XKSA1 для повышения эффективности ваших проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 44 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 36 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0083 |
| Корпус | TO220FP |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 38 S |
| Height | 16.15 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 44 A |
| Length | 10.65 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IPA083N10N5 SP001226038 |
| Pd - Power Dissipation | 36 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 30 nC |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| Rise Time | 5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | OptiMOS 5 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Width | 4.85 mm |
| Case | TO220FP |
| Drain current | 44A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 8.3mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 36W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 44 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | SMD |
| Package Type | PG-TO220-FP |
| Вес, г | 2.983 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1848 КБ
Datasheet IPA083N10N5XKSA1
pdf, 1678 КБ
