IPP039N10N5AKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 400 ֏
от 2 шт. —
6 800 ֏
от 5 шт. —
6 300 ֏
от 10 шт. —
6 000 ֏
1 шт.
на сумму 7 400 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 175DEG C, 188W ROHS COMPLIANT: YES
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0032Ом |
| Power Dissipation | 188Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 188Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0032Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet IPP039N10N5AKSA1
pdf, 1541 КБ
