SSM6L36FE,LM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
74485 шт., срок 8-10 недель
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Массив Mosfet N и P-канал 20 В, 500 мА, 330 мА, 150 мВт, поверхностный монтаж ES6 (1,6x1,6)
Технические параметры
| Base Product Number | TLP620 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 500mA, 330mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 46pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 630mOhm @ 200mA, 5V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | ES6 (1.6x1.6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Id - непрерывный ток утечки | 500 mA, 330 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Qg - заряд затвора | 1.23 nC, 1.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 460 mOhms, 950 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V, - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 350 mV, 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.55 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | U-MOSIII |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | SSM6L36 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns, 200 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns, 90 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | ES6-6 |
| Ширина | 1.2 mm |
Техническая документация
Datasheet SSM6L36FE,LM
pdf, 525 КБ
Datasheet SSM6L36FE.LM
pdf, 367 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
