IPW50R250CP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 300 ֏
1 шт.
на сумму 8 300 ֏
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: IPW50R250CPFKSA1)
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 240 |
| Fall Time | 11 ns |
| Height | 21.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 13 A |
| Length | 16.13 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IPW50R250CPFKSA1 IPW5R25CPXK SP000301162 |
| Pd - Power Dissipation | 114 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 36 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 220 mOhms |
| Rise Time | 14 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS CE |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 35 ns |
| Unit Weight | 1.340411 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Width | 5.21 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Pd - рассеивание мощности | 114 W |
| Qg - заряд затвора | 36 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 220 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 14 ns |
| Время спада | 11 ns |
| Высота | 21.1 mm |
| Длина | 16.13 mm |
| Другие названия товара № | IPW5R25CPXK SP000301162 IPW50R250CPFKSA1 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | CoolMOS CE |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.21 mm |
| Вес, г | 8.58 |
Техническая документация
Datasheet IPW50R250CP
pdf, 533 КБ
