FMMT620TA
![Фото 1/5 FMMT620TA](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735666.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/161/DOC004161369.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC035307858.jpg)
750 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 100 шт. —
396 ֏
от 500 шт. —
297 ֏
1 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1,5А, 625мВт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Base Product Number | FMMT620 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 200mA, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 160MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 625mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 50mA, 1.5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.05 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 160 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 160 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FMMT62 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Base Current (A) | 0.5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1@50mA@1.5A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum DC Collector Current (A) | 1.5 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 806 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 160(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Type | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 160 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 806 mW |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 218 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 214 КБ
Datasheet
pdf, 211 КБ
Datasheet FMMT620TA
pdf, 219 КБ