ZXT13N50DE6TA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
352 ֏
от 500 шт. —
274 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Биполярный (BJT) транзистор NPN 50V 4A 115MHz 1,1W Surface Mount SOT-26
Технические параметры
| Base Product Number | ZXT13N50D -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 115MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Power - Max | 1.1W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-26 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 400mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.3 mm |
| Длина | 3.1 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 145 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 115 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | ZXT13N50 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-6 |
| Ширина | 1.8 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Maximum DC Collector Current | 4 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7.5 V |
| Maximum Operating Frequency | 115 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 798 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 422 КБ
Datasheet ZXT13N50DE6TA
pdf, 795 КБ
