UMD9NTR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44294 шт., срок 7-9 недель
427 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
307 ֏
от 100 шт. —
143 ֏
от 500 шт. —
120 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 854 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Описание Транзистор силовой биполярный SOT23-6
Технические параметры
| Base Product Number | *MD9 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | UMT6 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.9 mm |
| Длина | 2 mm |
| Другие названия товара № | UMD9N |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 68 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 70 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | UMD9N |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.212 |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Ширина | 1.25 mm |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Вес, г | 0.029 |
Техническая документация
Datasheet UMD9NTR
pdf, 594 КБ
Datasheet UMD9NTR
pdf, 1685 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 28 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 1 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
