BSS205NH6327XTSA1
![Фото 1/4 BSS205NH6327XTSA1](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131568.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/265/DOC047265543.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/681/DOC028681283.jpg)
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
294 ֏
от 10 шт. —
214 ֏
от 100 шт. —
142 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 080 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSS205NH6327XTSA1 от производителя INFINEON представляет собой высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с максимальным током стока 2,5 А и напряжением сток-исток 20 В. Обладая мощностью 0,5 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,085 Ом, данный транзистор идеально подходит для эффективного управления мощностью в различных электронных устройствах. Компактный корпус SOT23 обеспечивает легкость интеграции в различные электронные схемы. Продукт BSS205NH6327XTSA1 является надежным выбором для разработчиков, ищущих эффективные решения в области применения мощных и миниатюрных компонентов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 2.5 |
Напряжение сток-исток, В | 20 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.085 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 9000 |
Fall Time | 2.4 ns |
Forward Transconductance - Min | 8.5 S |
Height | 1.1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2.5 A |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | BSS205N BSS205NH6327XT H6327 SP000929180 |
Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 3.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 40 mOhms |
Rise Time | 2.9 ns |
RoHS | Details |
Series | BSS205 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 5.8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV |
Width | 1.3 mm |
Base Product Number | BSS205 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 2.5A, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Vgs (Max) | В±12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 11ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 500мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 950мВ |
Рассеиваемая Мощность | 500мВт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Forward Diode Voltage | 1.1V |
Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 85 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.7V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.1 nC @ 4.5 V |
Вес, г | 0.008 |