IXFK170N10P, MOSFETs PolarHT HiperFET 100v, 170A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 900 ֏
от 25 шт. —
11 900 ֏
от 50 шт. —
11 500 ֏
от 100 шт. —
9 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 15 900 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 100В, 170А, 715Вт, TO264 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Fall Time: | 33 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 45 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-264-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 714 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 198 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9 mOhms |
| Rise Time: | 50 ns |
| Series: | HiPerFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 148 КБ
