IPS70R1K4P7SAKMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
339 ֏
от 10 шт. —
264 ֏
от 100 шт. —
214 ֏
2 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 700V, 4A, TO-251; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:700V; On Resistance Rds(on):1.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 4 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1400@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 700 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 16 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 22700 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -40~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | CoolMOS P7 |
| Supplier Package | TO-251 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 4.7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 4.7@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 158@400V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 22.7 W |
| Qg - заряд затвора | 4.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 4.9 ns |
| Время спада | 61 ns |
| Высота | 6.22 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Другие названия товара № | IPS70R1K4P7S SP001499706 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Ширина | 2.38 mm |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1400 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | IPAK SL(TO-251 SL) |
| Series | IPS70R |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet IPS70R1K4P7SAKMA1
pdf, 927 КБ
Datasheet IPS70R1K4P7SAKMA1
pdf, 1094 КБ
Datasheet IPS70R1K4P7SAKMA1
pdf, 1168 КБ
