BCX5110TA, Транзистор
![Фото 1/3 BCX5110TA, Транзистор](https://static.chipdip.ru/lib/074/DOC041074284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/849/DOC004849072.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519976.jpg)
970 ֏
1 шт.
на сумму 970 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 150 mA, 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCX5110 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.5 mm |
Case | SOT89 |
Collector current | 1A |
Collector-emitter voltage | 45V |
Current gain | 63…160 |
Frequency | 150MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 1W |
Type of transistor | PNP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ