BCP5616TA, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| PCB changed | 3 |
| Package Height | 1.55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Tab | Tab |
| Package Width | 3.5 |
| Package Length | 6.5 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Configuration | Single Dual Collector |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Minimum DC Current Gain | 100@150mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V|25@5mA@2V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Pin Count | 4 |
| Military | No |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA at 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 at 150 mA at 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BCP56 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Base Product Number | BCP5616 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Power - Max | 2W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
| Maximum DC Collector Current | 1A |
| Pd - Power Dissipation | 2W |
| Вес, г | 0.112 |
