IKW40N60H3FKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 360 ֏
1 780 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 15 шт. —
1 520 ֏
от 30 шт. —
1 410 ֏
от 60 шт. —
1 380 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 560 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
Технические параметры
| Корпус | PG-TO-247-3 | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A | |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A | |
| Gate Charge | 223nC | |
| IGBT Type | Trench Field Stop | |
| Input Type | Standard | |
| Manufacturer | Infineon Technologies | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part Status | Active | |
| Power - Max | 306W | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 124ns | |
| Series | TrenchStopВ® | |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 | |
| Switching Energy | 1.68mJ | |
| Td (on/off) @ 25В°C | 19ns/197ns | |
| Test Condition | 400V, 40A, 7.9 Ohm, 15V | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V | |
| Channel Type | N | |
| Energy Rating | 2.12mJ | |
| Gate Capacitance | 2190pF | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 306 W | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Вес, г | 8.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2110 КБ
Документация
pdf, 1749 КБ
Datasheet IKW40N60H3 (Infineon)
pdf, 1760 КБ
