SI4401DDY-T1-GE3, MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 070 ֏
от 10 шт. —
760 ֏
от 100 шт. —
520 ֏
от 500 шт. —
402 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 070 ֏
Описание
Unclassified
Si4 TrenchFET® Power MOSFETsVishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V GS and V DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R g and UIS tested.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 37 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 16.1 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4401DDY-GE3 |
| Pd - Power Dissipation: | 6.3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Rise Time: | 11 ns |
| Series: | SI4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Power Dissipation | 6.3Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 16.1А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 6.3Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Вес, г | 0.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
