BC856AQ-7-F, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
269 ֏
от 10 шт. —
190 ֏
от 100 шт. —
80 ֏
от 1000 шт. —
45 ֏
1 шт.
на сумму 269 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
65V 310mW 125@2mA,5V 100mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 65В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 125hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 125hFE |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BC856 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 65V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 650mV@5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 125@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Diodes Incorporated BC856AQ-7-F
pdf, 376 КБ
