IHW30N65R6XKSA1, IGBTs Y
![Фото 1/2 IHW30N65R6XKSA1, IGBTs Y](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC031153260.jpg)
3 480 ֏
от 10 шт. —
3 130 ֏
от 25 шт. —
2 530 ֏
от 100 шт. —
1 960 ֏
1 шт.
на сумму 3 480 ֏
Описание
Unclassified
The Infineon IHW30N65R6 is the 650 V, 30 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 65 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
Maximum Power Dissipation | 160 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Pin Count | 3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.26В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 65А |
Power Dissipation | 163Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IHW30N65R6XKSA1
pdf, 1793 КБ