IRF820PBF-BE3, MOSFETs 500V N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 290 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 100 шт. —
810 ֏
от 500 шт. —
650 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 290 ֏
Описание
Unclassified
Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 3Ом |
| Power Dissipation | 50Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | IRF820 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 2.5А |
| Полярность Транзистора | N Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вес, г | 1 |
