NCP5111DR2G, Gate Drivers HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER
1 740 ֏
от 10 шт. —
1 380 ֏
от 100 шт. —
880 ֏
от 500 шт. —
780 ֏
1 шт.
на сумму 1 740 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Half Bridge 2 250mA 85ns 35ns 10V~20V 500mA SOIC-8 Gate Drive ICs ROHS
Технические параметры
| Driven Configuration | Half Bridge |
| Load Type | MOSFET;IGBT |
| Peak Output Current(sink) | 600mA |
| Peak Output Current(source) | 300mA |
| Supply Voltage | 10V~20V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 239 КБ
