IPD050N10N5ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 320 ֏
от 2 шт. —
3 790 ֏
от 5 шт. —
3 390 ֏
1 шт.
на сумму 4 320 ֏
Описание
Электроэлемент
:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon IPD050N10N5ATMA1
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 80 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.8 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 150000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 51 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 51@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3600@50V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 64 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Другие названия товара № | IPD050N10N5 SP001602184 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 48 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | OptiMOS 5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0043Ом |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0043Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | TO-252 |
| Вес, г | 19.96 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 966 КБ
Datasheet IPD050N10N5ATMA1
pdf, 918 КБ
