IPW65R190C7XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 800 ֏
от 2 шт. —
6 200 ֏
от 5 шт. —
5 800 ֏
от 10 шт. —
5 500 ֏
1 шт.
на сумму 6 800 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Полевой транзистор IPW65R190C7XKSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Отличается стабильной работой при токе стока до 13 А и напряжении сток-исток в 650 В. Этот компонент способен обеспечить мощность в 72 Вт, при этом обладая низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,19 Ом, что обеспечивает эффективную и экономичную работу в широком спектре электронных устройств. Корпус PG-TO247 гарантирует надежность и долговечность использования. Модель IPW65R190C7XKSA1 станет оптимальным выбором для разработчиков силовой электроники. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 13 |
| Напряжение сток-исток, В | 650 |
| Мощность, Вт | 72 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.19 |
| Корпус | PG-TO247 |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 13 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 190@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 650 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 72000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | TO-247 |
| Supplier Package | TO-247 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 23 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 23@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1150@400V |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IPW65R190C7 SP001080142 |
| Pd - Power Dissipation: | 72 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 168 mOhms |
| Rise Time: | 11 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Forward Diode Voltage | 0.9V |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 700 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 72 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-247 |
| Series | CoolMOS™ C7 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Width | 21.1mm |
| Вес, г | 6.467 |
