IKP04N60TXKSA1, Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 780 ֏
от 3 шт. —
1 430 ֏
от 10 шт. —
1 210 ֏
от 50 шт. —
950 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 780 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 4А, 42Вт, TO220-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Collector current | 4A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 27nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 42W |
| Pulsed collector current | 12A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | TRENCHSTOP™ |
| Turn-off time | 207ns |
| Turn-on time | 21ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 8 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Power Dissipation | 42 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO-220-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 2.03 |
