IXTA160N04T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 160А, 250Вт, TO263, 40нс
![Фото 1/2 IXTA160N04T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 160А, 250Вт, TO263, 40нс](https://static.chipdip.ru/lib/177/DOC036177249.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/955/DOC043955324.jpg)
4 320 ֏
от 3 шт. —
3 780 ֏
от 10 шт. —
2 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 320 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 160А, 250Вт, TO263, 40нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO263 |
Drain current | 160A |
Drain-source voltage | 40V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 79nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 5mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 250W |
Reverse recovery time | 40ns |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 302 КБ