IXTH3N100P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 3А, 125Вт, TO247-3, 820нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 600 ֏
от 3 шт. —
5 900 ֏
от 10 шт. —
4 540 ֏
от 30 шт. —
3 700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 600 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 3А, 125Вт, TO247-3, 820нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 3A |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Features of semiconductor devices | standard power mosfet |
| Gate charge | 36nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 125W |
| Reverse recovery time | 820ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 320 КБ
