FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2, PdlarHV™, полевой, 600В, 12А, Idm: 66A
![Фото 1/2 FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2, PdlarHV™, полевой, 600В, 12А, Idm: 66A](https://static.chipdip.ru/lib/635/DOC044635764.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/830/DOC038830918.jpg)
31 800 ֏
от 3 шт. —
25 800 ֏
от 10 шт. —
22 500 ֏
от 25 шт. —
19 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 31 800 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET x2, PdlarHV™, полевой, 600В, 12А, Idm: 66A Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | ISOPLUS i4-pac™ x024a |
Drain current | 12A |
Drain-source voltage | 600V |
Gate charge | 58nC |
Gate-source voltage | ±30V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.35Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 130W |
Pulsed drain current | 66A |
Reverse recovery time | 200ns |
Semiconductor structure | double series |
Technology | PolarHV™ |
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Вес, г | 6.04 |