IRF300P226

Фото 1/2 IRF300P226
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 300 ֏
от 2 шт.11 400 ֏
1 шт. на сумму 12 300 ֏
Номенклатурный номер: 8007493519

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 300V, 100A, 556W, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 100
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 19@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 300
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Power Dissipation - (mW) 556000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~175
Packaging Tube
Pin Count 3
Supplier Package TO-247AC
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 127
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 127@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 10030@50V
Drain Source On State Resistance 0.016Ом
Power Dissipation 556Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции StrongIRFET
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 300В
Непрерывный Ток Стока 100А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 556Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.016Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247AC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Maximum Continuous Drain Current 100 A
Maximum Drain Source Resistance 0.019 Ω
Maximum Drain Source Voltage 300 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247
Series StrongIRFET
Transistor Material Si
Вес, г 2.27

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1059 КБ
Datasheet IRF300P226
pdf, 1039 КБ