BCP5516TA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 388 ֏

от 100 шт. — 181 ֏

от 500 шт. — 148 ֏

2 шт. на сумму 1 160 ֏

Номенклатурный номер: 8007498779

Бренд: DIODES INC.

Описание Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики

Pd - рассеивание мощности:	2 W
Вид монтажа:	SMD/SMT
Категория продукта:	Биполярные транзисторы-BJT
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:	1 A
Минимальная рабочая температура:	-55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO):	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	5 V
Подкатегория:	Transistors
Полярность транзистора:	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):	150 MHz
Производитель:	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:	1000
Серия:	BCP55
Технология:	Si
Тип продукта:	BJTs-Bipolar Transistors
Торговая марка:	Diodes Incorporated
Упаковка / блок:	SOT-223-4
Case	SOT223
Collector current	1A
Collector-emitter voltage	60V
Current gain	100…250
Frequency	150MHz
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	DIODES INCORPORATED
Mounting	SMD
Polarisation	bipolar
Power dissipation	2W
Type of transistor	NPN
Вес, г	0.112