IXTQ120N15P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 150В, 120А, 600Вт, TO3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 400 ֏
от 3 шт. —
8 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 10 400 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор полевой IXTQ120N15P от IXYS – надежный компонент для мощных электронных схем. Предназначен для монтажа THT, этот N-MOSFET транзистор отличается током стока 120 А и напряжением сток-исток 150 В, обеспечивая мощность до 600 Вт. С минимальным сопротивлением в открытом состоянии всего 0,016 Ом, он обеспечивает высокую эффективность при больших нагрузках. Компактный корпус TO3P облегчает интеграцию в различные устройства. Вашему вниманию предлагается IXTQ120N15P – выбор профессионалов для качественных и долговечных электронных проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 120 |
| Напряжение сток-исток, В | 150 |
| Мощность, Вт | 600 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.016 |
| Корпус | TO3P |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 120A |
| Drain-source voltage | 150V |
| Gate charge | 150nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 600W |
| Reverse recovery time | 150ns |
| Technology | PolarHT™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5.28 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ
