RB058L-60DDTE25
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4324 шт., срок 8-10 недель
800 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 100 шт. —
423 ֏
от 500 шт. —
340 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
The ROHM's schottky barrier diodes are low VF, low IR and high ESD resistant, suitable for PC, mobile phone and various portable electronics.
Технические параметры
| Average Rectified Current (Io) | 3A |
| Forward Voltage (Vf@If) | 640mV@3A |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 4uA@60V |
| Reverse Voltage (Vr) | 60V |
| Case | DO214AC, SMA |
| Kind of package | reel, tape |
| Leakage current | 4µA |
| Load current | 3A |
| Manufacturer | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Max. forward impulse current | 120A |
| Max. forward voltage | 0.64V |
| Max. off-state voltage | 60V |
| Mounting | SMD |
| Semiconductor structure | single diode |
| Type of diode | Schottky rectifying |
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Diode Type | Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 3A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DO-214AC(SMA) |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 60V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Diode |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
