SI2306BDS-T1-GE3
![Фото 1/2 SI2306BDS-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/576/DOC002576222.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
800 ֏
от 10 шт. —
670 ֏
от 100 шт. —
405 ֏
от 500 шт. —
304 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.16 A |
Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
Qg - заряд затвора | 3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 47 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 12 ns |
Время спада | 6 ns |
Другие названия товара № | SI2306BDS-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 14 ns |
Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.16 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 47@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | TrenchFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 6 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3@5V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 305@15V |
Typical Rise Time (ns) | 12 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 210 КБ
Datasheet SI2306BDS-T1-GE3
pdf, 210 КБ