DZTA92-13

Фото 1/2 DZTA92-13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
414 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.352 ֏
от 100 шт.225 ֏
от 500 шт.165 ֏
2 шт. на сумму 828 ֏
Номенклатурный номер: 8007551828
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1W -300V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 6.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 300 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 300 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DZTA92
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
Collector Emitter Voltage Max 300В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 25hFE
DC Усиление Тока hFE 25hFE
Power Dissipation 1Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции DZT Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Частота Перехода ft 50МГц
Вес, г 0.112

Техническая документация

Datasheet DZTA92-13
pdf, 206 КБ