TPH8R903NL,LQ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2951 шт., срок 8-10 недель
760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-Ch DTMOS VII-H 24W 630pF 38A 30V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 38 A |
| Pd - рассеивание мощности | 24 W |
| Qg - заряд затвора | 9.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 2.4 ns |
| Время спада | 8.3 ns |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quad Drain |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | TPH8R903NL |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.3 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOP-Advance-8 |
| Ширина | 5 mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 20A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 15V |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta), 24W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance(5x5) |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 238 КБ
Datasheet TPH8R903NL.LQ
pdf, 239 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
