TK10P60W,RVQ
![TK10P60W,RVQ](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514246.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4498 шт., срок 8-10 недель
3 790 ֏
1 шт.
на сумму 3 790 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 9.7 A |
Pd - рассеивание мощности | 80 W |
Qg - заряд затвора | 20 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.7 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 5.5 ns |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | TK10P60W |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 45 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 5.5 mm |
Техническая документация
Datasheet TK10P60W.RVQ
pdf, 245 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг