CSD17302Q5A

CSD17302Q5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 340 ֏
от 10 шт.980 ֏
от 100 шт.720 ֏
от 500 шт.570 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 340 ֏
Номенклатурный номер: 8007586342
Бренд: Texas Instruments

Описание

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

RoHS Compliant Yes
Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Forward Transconductance - Min: 68 S
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: VSONP-8
Pd - Power Dissipation: 3 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 5.4 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 9 mOhms
Series: CSD17302Q5A
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 10.6 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -8 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V

Техническая документация