SI4166DY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
от 10 шт. —
1 430 ֏
от 100 шт. —
1 020 ֏
от 500 шт. —
810 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 30.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 6.5 W |
Qg - заряд затвора | 65 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.75 mm |
Длина | 4.9 mm |
Другие названия товара № | SI4166DY-GE3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | SI4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | SO-8 |
Ширина | 3.9 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SI4166DY-T1-GE3
pdf, 201 КБ