ZXTC6719MCTA

ZXTC6719MCTA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 100 ֏
от 10 шт.880 ֏
от 100 шт.590 ֏
от 500 шт.445 ֏
1 шт. на сумму 1 100 ֏
Номенклатурный номер: 8007590090
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V, 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V, 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 270 mV, 260 mV
Configuration: Dual
Continuous Collector Current: -3 A, 4 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200 at 10 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 165 MHz, 190 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 4 A, 3 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DFN3020B-8
Pd - Power Dissipation: 1.5 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: ZXTC67
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN, PNP
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 220 КБ